时间：2025/9/14 15:13:46
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BUK7626-100B,118是一款由Nexperia（原飞利浦半导体部门）制造的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench肖特基技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高耐压特性，适用于各种高效率功率转换应用。其封装形式为TO-220AB，具有良好的散热性能，适用于需要高功率密度和高可靠性的设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：40A
导通电阻RDS(on)：最大值为17.5mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：150W
工作温度范围：-55°C至175°C
BUK7626-100B,118的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高整体效率。该器件在VGS=10V时，RDS(on)的最大值仅为17.5mΩ，这对于高频开关应用尤为重要。
此外，该MOSFET具备较高的电流处理能力，能够在连续漏极电流达到40A的情况下稳定工作，适用于高功率输出设计。其额定功率耗散为150W，结合TO-220AB封装的良好散热能力，能够有效应对高温环境下的挑战。
BUK7626-100B,118广泛应用于各种功率电子设备中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关模块。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件在高效率电源转换系统中表现出色，能够显著减少能量损耗并提高系统稳定性。此外，它也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及电池管理系统中的功率控制部分。
BUK7626-100E, BUK7630-100A, IRF3710, FDP4760
