IXFB60N80 时间：2025/8/5 20:11:40 阅读：27

IXFB60N80是一款由IXYS公司生产的高电压、高电流N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率电源转换和高功率应用设计，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能。IXFB60N80广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及其他需要高功率密度的工业和消费类电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：800V
　　栅源电压(VGS)：±30V
　　连续漏极电流(ID)：60A
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247
　　导通电阻(RDS(on))：典型值0.22Ω
　　栅极电荷(Qg)：典型值180nC
　　输入电容(Ciss)：典型值1900pF

特性

IXFB60N80具有多个关键特性，使其适用于高功率和高电压应用。
　　首先，该器件的最大漏源电压为800V，能够在高电压环境下稳定工作，适用于需要高压隔离和高耐压能力的应用场景，例如工业电机控制和高压电源转换系统。
　　其次，IXFB60N80的连续漏极电流可达60A，支持高电流负载，适用于大功率开关电源、逆变器和DC-AC转换器等应用。此外，该MOSFET的导通电阻RDS(on)典型值为0.22Ω，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。
　　其封装形式为TO-247，具备良好的散热性能，能够在高温环境下稳定运行。此外，该器件的栅极电荷Qg为180nC，较低的栅极电荷有助于提高开关速度，减少开关损耗，从而提高系统的动态响应能力。
　　IXFB60N80还具备较高的热稳定性和抗雪崩能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行，适用于工业自动化、可再生能源系统（如太阳能逆变器）、电动车充电系统等对可靠性要求较高的场合。

应用

IXFB60N80广泛应用于多种高功率和高电压电子系统中。
　　在电源管理领域，该器件常用于开关电源（SMPS）设计，提供高效的DC-DC转换能力，适用于服务器电源、通信设备电源和工业电源模块。
　　在电机控制方面，IXFB60N80可用于直流电机驱动器和无刷直流电机控制电路，其高电流承载能力和低导通电阻确保电机运行的稳定性和效率。
　　此外，该MOSFET适用于逆变器设计，如太阳能逆变器和UPS不间断电源系统，用于将直流电转换为交流电，其高电压和高电流能力可确保系统在高负载下稳定运行。
　　在工业自动化和控制系统中，IXFB60N80可用于高频开关应用，例如PLC（可编程逻辑控制器）中的功率输出级，提供快速响应和可靠的功率控制。
　　由于其优异的性能，该器件也常用于电动车充电设备、储能系统和高功率LED照明驱动电路中，满足对高效率和高可靠性的需求。