时间：2025/6/21 20:30:42
阅读：4
A60L0R1BT200T是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用TO-263封装形式。该器件主要用于开关和放大应用中，广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器等领域。
该型号属于逻辑电平驱动系列，具有较低的导通电阻和快速开关能力，能够显著提高系统效率并降低功耗。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：15A
导通电阻：2.2mΩ
栅极电荷：48nC
开关时间：ton=9ns，toff=17ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
A60L0R1BT200T具备低导通电阻和快速开关。此外，其逻辑电平驱动设计简化了与微控制器或其他数字电路的接口过程。
由于采用了先进的制造工艺，这款MOSFET在高温环境下也能保持稳定性能，同时支持高电流输出。
该器件还具有良好的热稳定性和抗浪涌能力，可以有效保护电路免受瞬态电压的影响。
这款MOSFET晶体管适用于各种电力电子设备，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
4. 汽车电子领域，例如启动马达控制或车载充电器模块。
5. 工业自动化设备中的继电器替代方案以及负载切换功能实现。
A60L0R1BT200G, IRFZ44N, FDP17N60
