型号：BUK7620-55
　　通道类型：N沟道
　　最大漏源电压(VDS)：55V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID) @25°C：140A
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：360A
　　导通电阻(RDS(on)) @VGS=10V：2.2mΩ
　　导通电阻(RDS(on)) @VGS=4.5V：3.2mΩ
　　阈值电压(VGS(th))典型值：2.0V
　　输入电容(Ciss) @VDS=25V：10200pF
　　输出电容(Coss) @VDS=25V：2900pF
　　反向恢复时间(trr)：32ns
　　最大功耗(PD) @25°C：200W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：LFPAK (Power-SO8)

BUK7620-55的核心优势在于其基于TrenchMOS工艺的先进结构设计，这种技术通过在硅片上刻蚀出垂直沟道来显著提升单位面积内的载流子迁移效率，从而大幅降低导通电阻RDS(on)，即使在低栅极驱动电压下也能实现高效的导通状态。其在VGS=10V时的典型RDS(on)仅为2.2mΩ，在同类55V MOSFET中处于领先水平，这意味着在大电流应用中能有效减少I2R损耗，提高整体系统能效。
　　此外，该器件在VGS=4.5V时仍能保持3.2mΩ的低导通电阻，表现出优异的低压驱动能力，适用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的数字电源系统，无需额外的电平转换或专用驱动IC，简化了电路设计并降低了成本。其高电流承载能力（高达140A连续电流）使其非常适合用于高功率密度设计，例如服务器电源、工业电机控制和电动汽车辅助电源系统。
　　LFPAK封装是BUK7620-55的另一大亮点。相比传统TO-220或DPAK封装，LFPAK是一种无引脚、扁平化的表面贴装封装，具有更低的热阻（典型Rth(j-c)约为0.65°C/W），可将热量更有效地传导至PCB，提升散热效率。同时，其封装内部采用铜夹连接（copper clip）技术替代传统的铝线键合，不仅增强了电流传输能力，还提高了机械可靠性和抗热循环疲劳性能。
　　在动态性能方面，BUK7620-55具备较低的输入和输出电容（Ciss=10200pF，Coss=2900pF），有助于减少开关过程中的充放电损耗，提升高频工作下的效率。其反向恢复时间trr为32ns，配合体二极管的软恢复特性，可在桥式拓扑中减少电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高系统稳定性。此外，该器件具有优良的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压或感性负载切换时提供更强的保护，延长使用寿命。

BUK7620-55凭借其低导通电阻、高电流能力和优良的热性能，被广泛应用于多种高要求的电力电子领域。在通信电源和服务器电源系统中，它常用于同步整流、负载开关和OR-ing电路，以提高转换效率并降低温升。在工业自动化设备中，该器件可用于电机驱动模块中的H桥或半桥拓扑，实现对直流电机或步进电机的精确控制。
　　在汽车电子方面，BUK7620-55尤其适用于12V或24V车载电源系统，包括车身控制模块、电动助力转向（EPS）、车灯调光驱动、风扇电机控制以及启停系统中的电池管理单元。其宽工作结温范围（最高达+175°C）和高可靠性使其能够适应发动机舱内高温、振动和电压波动等严苛环境。
　　此外，在可再生能源系统如太阳能微逆变器和储能电源中，BUK7620-55可用于DC-DC升压或降压变换器的主开关元件，帮助实现高效率的能量转换。在消费类高端产品如游戏主机、笔记本电脑适配器和高亮度LED照明系统中，该MOSFET也常作为关键功率开关使用，支持快速响应和节能运行模式。
　　由于其表面贴装封装形式，BUK7620-55特别适合自动化SMT生产线，有利于大规模制造，同时节省PCB空间，推动产品向小型化、轻量化发展。

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　　 "IPB029N05L3 G",
　　 "IRLR2907PbF",
　　 "SQJ482EP-T1-GE3",
　　 "PSMN022-55YLF",
　　 "FDD8880",
　　 "AOZ6321AQI-02"
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