BUK7613-60E 是一款由安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型MOSFET。这款功率场效应晶体管设计用于高效率开关应用,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于广泛的工业、汽车及消费类电子产品领域。
BUK7613-60E采用了先进的制造工艺,确保其在高频开关条件下具备出色的性能表现,同时支持表面贴装封装(DPAK),便于自动化生产与散热管理。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:24A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:39nC
总功耗:170W
工作温度范围:-55℃ to +175℃
BUK7613-60E 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以降低传导损耗,提升系统效率。
2. 高雪崩能量能力,能够承受负载突降等异常情况。
3. 快速开关速度,有助于减少开关损耗并提高工作效率。
4. 提供良好的热稳定性,适合高温环境下的应用。
5. 具备静电放电(ESD)保护功能,增强器件可靠性。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
这些特性使 BUK7613-60E 成为高性能电源转换和电机驱动的理想选择。
BUK7613-60E 广泛应用于各种需要高效功率转换的场景,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS),如适配器和充电器。
2. DC-DC 转换器,特别是在汽车电子和工业控制领域。
3. 电机驱动,用于家用电器和工业设备中的无刷直流电机控制。
4. 汽车电子系统,例如车身控制模块、LED 照明驱动和辅助电源管理。
5. 工业自动化设备中的功率级开关。
由于其出色的性能和可靠性,该器件在需要高效、紧凑设计的应用中备受青睐。
BUK7Y3R8-60E, IRFZ44N, FDP5580