SRK2000ATR 时间：2025/5/8 19:49:53 阅读：6

SRK2000ATR是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该器件采用TO-252封装，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效降低系统功耗并提高效率。
　　SRK2000ATR属于N沟道增强型MOSFET，其设计特点在于能够在高频应用中提供稳定的性能表现。此外，它还具备良好的热特性和耐受浪涌电流的能力，非常适合对效率和可靠性要求较高的电路设计。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：38A
　　导通电阻（典型值）：4.5mΩ
　　栅极电荷：19nC
　　输入电容：1280pF
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-252

特性

SRK2000ATR具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提升整体效率。
　　2. 高速开关性能，适合高频应用场合。
　　3. 良好的热稳定性，即使在高温环境下也能保持可靠运行。
　　4. 较高的雪崩击穿能量，增强了器件的鲁棒性。
　　5. 小型化封装设计，便于在空间受限的应用中使用。
　　6. 支持大电流操作，满足高功率密度需求。
　　这些特性使得SRK2000ATR成为工业控制、通信设备及消费类电子产品的理想选择。

应用

SRK2000ATR广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源中的同步整流器。
　　2. DC-DC转换器的核心开关元件。
　　3. 各种电机驱动电路，如无刷直流电机控制器。
　　4. 电池保护电路中的负载开关。
　　5. 工业自动化设备中的功率级控制。
　　6. 汽车电子中的辅助电源模块。
　　其出色的性能使其成为众多高效率、紧凑型设计的理想解决方案。