时间：2025/5/20 19:03:34
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IPD350N06LG 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），由 Infineon Technologies 生产。这款 MOSFET 具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于高效能开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他需要高频开关的应用场景。
该器件采用 TO-220 封装形式，能够提供出色的散热性能和电气性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：35A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ
栅极电荷：19nC
总电容（Ciss）：3780pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IPD350N06LG 提供了非常低的导通电阻 (Rds(on)) 和极低的栅极电荷，从而显著减少了导通损耗和开关损耗。这使得它在高频应用中表现出色，同时维持较低的工作温度。此外，其较高的漏极电流能力使其适用于大功率场合。
该器件还具有快速开关性能，支持高效的 DC-DC 转换以及负载切换等应用。其坚固的封装设计确保了长期可靠性，并且具备良好的热稳定性以适应恶劣环境下的使用需求。
IPD350N06LG 广泛应用于各类高效率电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动电路
4. 电池管理系统 (BMS)
5. 工业自动化控制中的负载切换
6. 太阳能逆变器及储能系统中的功率转换模块
由于其优异的电气特性和热性能，这款 MOSFET 是许多高性能应用的理想选择。
IPW350N06L, IRF3205, FDP18N06L
