时间：2025/8/15 4:54:26
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TSP065SB 是一款由 STMicroelectronics 生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专门用于高效率、高功率密度的电源管理应用。该器件采用先进的 STripFET? F7 技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适合用于 DC-DC 转换器、同步整流、负载开关和电机控制等应用场景。TSP065SB 采用紧凑的 PowerFLAT 5x6 封装，提供良好的散热性能和空间利用率。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：65V
连续漏极电流（ID）：160A
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：35nC
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装：PowerFLAT 5x6
TSP065SB 的核心特性包括其极低的导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，使其在高功率应用中能够实现较低的导通损耗和更高的效率。该器件采用了 STMicroelectronics 的 STripFET? F7 技术，这是一种先进的沟槽栅极技术，能够提供卓越的开关性能和热稳定性。
此外，TSP065SB 具有优异的热管理能力，得益于其 PowerFLAT 5x6 封装的低热阻（Rth）设计，能够在高负载条件下保持较低的工作温度，从而提高系统的可靠性和寿命。该器件还具备高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下提供更好的保护。
TSP065SB 的开关性能也非常出色，具有较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），从而减少了开关损耗并提高了系统的响应速度。这些特性使其非常适合用于高频开关应用，如多相 DC-DC 转换器和同步整流电路。
TSP065SB 主要用于高性能电源管理系统，包括服务器电源、电信设备、电动车辆（EV）充电系统、工业自动化和电机控制等应用。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于需要高效率和高功率密度的场合。
在服务器和电信电源系统中，TSP065SB 可用于多相降压转换器，以提供稳定的电压调节和高效的功率转换。在电动车辆充电系统中，该器件可用于直流-直流转换器，以提高充电效率并减少热损耗。此外，TSP065SB 也可用于电机控制和电池管理系统（BMS），以实现精确的功率控制和保护。
由于其紧凑的封装设计和优异的热性能，TSP065SB 也可用于空间受限的应用，如便携式电子设备和嵌入式系统中的功率开关和负载管理电路。
TSP065SB 可以被以下型号替代或替换：IRF160N65SFM、IPW65R004K、SiC650EDK。
