时间：2025/9/14 7:12:42
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BUK753R8-80E,127 是一款由 NXP（恩智浦）生产的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用而设计，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及工业控制等领域。该 MOSFET 采用先进的沟槽技术，提供出色的热性能和可靠性。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：80V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：180A（在 Tc=25℃）
导通电阻 Rds(on)：3.8mΩ（最大值，典型值）
功率耗散（Ptot）：300W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装类型：TO-220AB
BUK753R8-80E,127 的核心特性之一是其极低的导通电阻，这显著降低了导通损耗，提高了整体效率。其 Rds(on) 在 Vgs=10V 时最大为 3.8mΩ，确保在高电流应用中保持较低的功耗。此外，该器件具有高电流承载能力，额定连续漏极电流可达 180A，在高功率密度设计中表现出色。
另一个显著特性是其热稳定性与耐用性。由于采用了先进的沟槽式 MOSFET 工艺，该器件能够在高温度环境下稳定运行，且具有良好的热循环耐受性。这使其适用于工业级应用，如不间断电源（UPS）、服务器电源、电动工具和电动车电池管理系统等。
该 MOSFET 还具备良好的栅极驱动兼容性，支持标准 10V 栅极驱动电压，可与常见的驱动 IC 无缝配合使用。此外，其 ±20V 的栅源电压耐受能力增强了抗过压和静电放电（ESD）的能力，提高了系统的可靠性。
封装方面，TO-220AB 封装不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和焊接，适合通孔（Through-Hole）PCB 设计，广泛用于传统功率电子设备。
BUK753R8-80E,127 广泛应用于多种功率电子系统中，尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。典型应用包括但不限于：DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制器、电池管理系统（BMS）、电源管理单元（PMU）、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及电动工具等。
在服务器电源和通信设备中，该器件用于高效率的功率转换，以满足日益严格的能效标准。在电动车和储能系统中，其高电流能力和低导通电阻使其成为电池保护电路和能量管理系统中的关键组件。
此外，由于其优异的热管理和抗过载能力，该器件也常用于高功率 LED 照明系统和工业电机控制应用。
IRF1405, IXFN180N10T2, STP180N8F7AG, BSC090N10NS5ATMA1
