时间：2025/8/9 8:29:37
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K3694-01L 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高效率电源管理和功率开关应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽式技术，具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性。K3694-01L封装在小型DFN（Dual Flat No-lead）封装中，适用于需要紧凑布局和高性能的电子设备，如DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关以及各种便携式电子产品。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：10A（在25°C下）
脉冲漏极电流（Idm）：50A
导通电阻（Rds(on)）：23mΩ（典型值）
功耗（Pd）：3.6W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：DFN5x6
栅极电荷（Qg）：16nC
输入电容（Ciss）：960pF
K3694-01L具备多项高性能特性，首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET采用先进的沟槽式结构，增强了导电性能并提高了电流承载能力。
此外，K3694-01L的DFN封装提供了良好的热管理能力，使得在高电流条件下也能保持较低的温度上升，确保器件长期稳定运行。该封装还具备较小的尺寸，适合高密度PCB布局。
该器件的栅极绝缘性能优异，能够承受高达±20V的栅源电压，适用于多种驱动电路环境。同时，其快速开关特性有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC转换器等。
K3694-01L符合RoHS环保标准，无铅封装，适用于现代绿色电子产品的设计要求。
K3694-01L广泛应用于各类功率电子设备中，包括但不限于：
1. **DC-DC转换器**：由于其低导通电阻和高电流能力，K3694-01L非常适合用于同步整流型降压或升压转换器中作为主开关器件。
2. **电池管理系统**：在便携式设备、电动工具和储能系统中，该MOSFET可作为电池充放电控制开关，确保高效能和安全性。
3. **负载开关**：适用于需要快速断开和接通负载的场合，如服务器、笔记本电脑和工业控制设备中的电源管理模块。
4. **马达驱动器**：在小型马达或步进马达控制电路中，K3694-01L可用于实现高效能和紧凑型设计。
5. **电源管理模块**：在各种开关电源、适配器和充电器中作为主控开关元件。
SiR142DP, BSC010N03MS, FDS6675, AO4406
