时间：2025/6/29 3:54:45
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BUK724R5-30C 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），采用先进的半导体工艺制造。该器件适用于各种高效率、高频开关应用场合，例如 DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器以及负载开关等。其卓越的导通电阻和快速开关性能使得 BUK724R5-30C 成为低功耗应用的理想选择。
该 MOSFET 的封装形式为 LFPAK33 (Power-SO8)，具有出色的散热特性和紧凑的设计，能够满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：2.9mΩ
栅极电荷（典型值）：36nC
输入电容（典型值）：1200pF
总热阻（结到环境）：45°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
BUK724R5-30C 提供了低导通电阻以减少传导损耗，从而提高整体系统效率。
它具备非常低的栅极电荷，有助于实现高频开关操作并降低驱动功耗。
该 MOSFET 的 LFPAK33 封装支持出色的散热管理，并且符合 RoHS 标准，适合环保设计需求。
此外，该器件在宽温度范围内保持稳定的电气性能，能够在恶劣的工作条件下可靠运行。
由于采用了铜夹片技术，BUK724R5-30C 还表现出优异的电流分布均匀性和可靠性。
BUK724R5-30C 广泛应用于汽车电子领域，如启动/停止系统中的电池保护电路和电机控制单元。
同时，在工业自动化设备中，这款 MOSFET 可用于伺服驱动器、步进电机控制器及固态继电器。
消费类电子产品方面，BUK724R5-30C 常见于笔记本电脑适配器、智能手机快速充电器以及其他便携式设备的电源管理模块。
另外，它也适用于 LED 照明驱动电路，提供高效节能的解决方案。
BUK7Y3R8-30E
