工作电压：12V
　　反向关断电压：12V
　　最大峰值脉冲电流（IPP）：15A（8/20μs）
　　钳位电压（VC）：22.8V（在IPP=15A时）
　　漏电流（IR）：≤ 100nA（在VR=12V时）
　　响应时间：< 1.0 ps
　　封装形式：SOD-523
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

CESD12VD5 ZM 是一款双向 TVS 二极管，具有优异的瞬态电压保护性能，适用于对信号完整性要求较高的应用。该器件采用先进的硅雪崩技术，确保在极短时间内对瞬态电压做出响应，从而有效保护下游电路。其低钳位电压特性可将瞬态电压限制在安全范围内，降低对受保护元件的损害风险。
　　该器件的漏电流极低，在12V反向电压下不超过100nA，确保在正常工作状态下不会对电路造成额外负担。同时，其快速响应时间小于1.0皮秒，能够有效应对快速上升沿的瞬态干扰，如静电放电或雷击浪涌。CESD12VD5 ZM 采用紧凑的 SOD-523 封装，适合高密度PCB布局，并且符合RoHS环保标准。
　　其结构设计确保在多次瞬态事件中保持稳定性能，具备高可靠性，适用于恶劣工业环境。此外，该器件在工作电压范围内保持稳定的保护性能，适用于多种低压信号线和电源线路的保护。

CESD12VD5 ZM 主要用于通信接口、USB端口、HDMI接口、以太网接口等高速数据线路的静电保护。此外，它也适用于消费电子、工业控制设备、计算机外设、手持设备和汽车电子系统的敏感电路保护。
　　在消费电子产品中，该器件常用于保护USB 2.0、HDMI、DisplayPort等高速信号线路，防止因人体静电或连接器插拔引起的电压瞬变。在工业设备中，可用于保护RS-485、CAN总线等通信接口，提高系统可靠性。此外，它也适用于医疗电子设备、测试仪器和网络交换设备中的信号线路保护。
　　由于其双向特性，CESD12VD5 ZM 可用于交流信号线路或差分信号线路的保护，而无需考虑极性问题，这使得其在复杂系统设计中具有更高的灵活性。

SMBJ12CA、PESD5V0S1BA、TPD3E081、ESD9B5.0ST5G、TLC723C218B