型号：FLU35XM
　　制造商：STMicroelectronics
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：60A（在TC=25°C时）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：240A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值2.1V，最小值1.7V，最大值2.5V（在VDS=VGS，ID=1mA条件下）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值5.5mΩ（在VGS=10V，ID=30A时）；最大值7.5mΩ（在VGS=4.5V，ID=30A时）
　　输入电容（Ciss）：典型值3300pF（在VDS=15V，VGS=0V，f=1MHz时）
　　输出电容（Coss）：典型值950pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值38ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：DPAK（TO-252）

FLU35XM采用STMicroelectronics专有的STripFET?垂直沟槽栅技术，这种先进的制造工艺显著降低了器件的导通电阻，同时提升了电流处理能力和开关性能。其超低的RDS(on)值确保了在大电流应用中功耗最小化，从而提高了系统的整体能效。该MOSFET在VGS=10V时RDS(on)仅为5.5mΩ，在VGS=4.5V时也仅7.5mΩ，表现出优异的低压驱动兼容性，适用于3.3V或5V逻辑电平直接驱动的电路设计。
　　器件具有出色的热稳定性与电流共享能力，得益于均匀的晶圆级工艺控制和优化的芯片布局，使得多器件并联使用时电流分配更加均衡。此外，FLU35XM具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在感性负载切换过程中的鲁棒性，减少因电压尖峰导致的失效风险。其栅极电荷（Qg）较低，典型值约为47nC（在VDS=15V，ID=30A，VGS=10V时），有助于降低驱动损耗，提高高频开关应用中的效率。
　　该MOSFET还具备良好的抗短路能力和过温保护特性，在极端工作条件下仍能保持可靠运行。DPAK封装不仅提供了良好的电气隔离，还支持高效的散热设计，可通过外接散热器进一步提升功率处理能力。内部寄生二极管具有快速反向恢复特性，减少了体二极管导通期间的能量损耗，尤其在同步整流拓扑中表现优越。综合来看，FLU35XM是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于对效率、尺寸和热管理有严格要求的现代电力电子系统。

FLU35XM广泛应用于各类中高功率电子系统中，尤其是在需要高效能和高电流密度的场合。常见应用包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC和DC-DC转换器，特别是在同步整流拓扑中作为主开关或整流元件，利用其低导通电阻减少传导损耗，提升转换效率。在电池供电系统中，例如电动工具、无人机和便携式设备的电池管理系统（BMS）中，FLU35XM可用于充放电控制和保护电路，实现低损耗的电源路径管理。
　　该器件也适用于电机驱动电路，包括直流无刷电机（BLDC）控制器和步进电机驱动器，在桥式配置中作为开关元件，提供快速响应和低热耗散。在逆变器系统中，如太阳能微逆变器或UPS不间断电源，FLU35XM可用于DC-AC转换阶段，发挥其高开关速度和低栅极驱动需求的优势。此外，它还可用于负载开关、热插拔控制器和电源分配单元，提供快速通断和过流保护功能。
　　由于其优异的热性能和工业级工作温度范围，FLU35XM同样适合工业自动化设备、通信电源模块和汽车辅助电源系统等严苛环境下的应用。其DPAK封装便于自动化装配和焊接，适合大规模生产。总体而言，任何需要高效率、高可靠性且空间受限的功率开关应用均可考虑采用FLU35XM作为核心功率器件。

STP35NF3LZ
　　IRF3710PBF
　　FDP35N30L