时间：2025/8/5 20:04:11
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IXTT140N075L2HV是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，由Littelfuse公司生产。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适用于需要高效率和高可靠性的电力电子应用。该MOSFET的额定电压为75V，最大连续漏极电流为140A，适用于广泛的电源管理与功率转换场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：75V
栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：140A（在Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：典型值为2.8mΩ（在Vgs=10V）
最大功耗（Pd）：250W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
IXTT140N075L2HV具有多项显著特性，首先是其极低的导通电阻，这显著降低了导通损耗并提高了整体系统效率。其次，该器件采用了先进的沟槽技术，使得在保持高性能的同时具有较小的芯片尺寸，从而提高了器件的可靠性。此外，该MOSFET的封装设计优化了热管理性能，使其能够在高功率密度应用中保持良好的散热效果。
该器件还具备良好的短路耐受能力，能够在极端工作条件下提供更高的稳定性。其高栅极绝缘强度（Vgs可达±20V）确保了在各种工作环境下器件的安全性和稳定性。同时，该MOSFET具有快速的开关速度，有助于降低开关损耗，提高系统的动态响应能力。
IXTT140N075L2HV的设计也考虑到了高dv/dt能力，能够在高频率开关环境中保持稳定的工作状态，减少电磁干扰（EMI）。其高可靠性设计适用于汽车电子、工业控制、电源转换和电动工具等对性能要求极高的应用场合。
IXTT140N075L2HV广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于以下领域：
? 电源转换系统：如DC-DC转换器、同步整流器和开关电源模块，利用其低导通电阻和高效率提升整体系统性能。
? 电机驱动与控制：适用于无刷直流电机（BLDC）驱动、伺服电机控制器等高功率应用。
? 电池管理系统：在电动车、储能系统和便携式设备中用于高效充放电控制。
? 汽车电子：用于车载逆变器、电动助力转向系统（EPS）和车载充电器（OBC）等场景。
? 工业自动化设备：如变频器、伺服驱动器和高功率LED驱动器等。
由于其高可靠性和优异的热管理能力，IXTT140N075L2HV在高温和高负载条件下依然能保持稳定运行，是高性能电源设计的理想选择。
IXTT140N075L2; IXTF140N075L2
