SSD30P06-45D是一款由SemiSouth公司生产的高压功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用N沟道技术,主要设计用于高频开关和功率转换应用。其额定电压为600V,连续漏极电流为30A,具有低导通电阻和快速开关特性。
这款MOSFET适用于需要高效率、高可靠性和紧凑设计的电力电子系统中,例如开关电源、电机驱动、逆变器等场景。
额定电压:600V
连续漏极电流:30A
导通电阻:180mΩ(典型值)
栅极电荷:75nC(最大值)
输入电容:2000pF(典型值)
最大功耗:290W
工作温度范围:-55℃至+150℃
SSD30P06-45D具有以下显著特点:
1. 高击穿电压:600V,确保在高压环境下的稳定性。
2. 低导通电阻:有助于降低导通损耗,提高整体效率。
3. 快速开关性能:较小的栅极电荷使得开关速度更快,适合高频应用。
4. 紧凑封装:采用TO-247封装形式,便于散热并节省空间。
5. 高可靠性:具备较强的抗雪崩能力和鲁棒性,可承受异常工况下的冲击。
6. 宽温范围:支持从-55℃到+150℃的工作温度区间,适应多种恶劣环境。
SSD30P06-45D广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS):包括AC/DC适配器和工业电源。
2. 电机驱动:用于高效控制交流或直流电机。
3. 太阳能逆变器:实现光伏能量转换。
4. UPS不间断电源:保障关键负载的稳定供电。
5. 工业控制设备:如PLC和其他自动化设备中的功率管理模块。
6. 电动汽车充电站:支持高效率的充电过程。
由于其出色的性能,这款MOSFET非常适合需要高功率密度和高效率的设计场景。
IRFP460, STP30NF06, FDP18N60