BUK7215-55A 是一款由安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道功率MOSFET,采用DPAK(TO-263)封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适用于各种高效能功率转换应用。这款MOSFET主要针对工业控制、消费类电子以及通信设备等领域的电源管理解决方案。
BUK7215-55A 通过优化的制造工艺实现了较低的导通损耗与开关损耗,从而在高频开关条件下也能保持较高的效率。其出色的电气特性使其成为许多高性能应用的理想选择。
最大漏源电压:55V
连续漏极电流:18.6A
导通电阻:0.017Ω(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:19nC(典型值)
输入电容:1340pF(典型值)
反向恢复时间:7ns(典型值)
工作结温范围:-55℃至+150℃
BUK7215-55A 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻使得传导损耗显著降低,从而提高了整体系统效率。
2. 快速开关速度,适合高频应用场合。
3. 出色的热稳定性,确保了在高温环境下的可靠运行。
4. 高雪崩能量能力增强了器件的鲁棒性。
5. DPAK 封装提供了良好的散热性能,并且易于安装到印刷电路板上。
6. 符合RoHS标准,满足环保要求。
这些特性共同决定了BUK7215-55A是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET,特别适用于需要高效能和紧凑设计的应用场景。
BUK7215-55A 广泛应用于以下几个领域:
1. 开关电源(SMPS),包括AC-DC适配器、充电器及DC-DC转换器。
2. 电机驱动,例如家用电器中的风扇、泵或压缩机驱动。
3. 负载开关,用于笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备。
4. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
5. LED照明驱动电路。
由于其出色的电气特性和封装优势,BUK7215-55A 成为了众多工程师在功率转换和功率管理应用中的首选元件之一。
IRLZ44N, FDP5570N