时间：2025/9/14 12:35:51
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BUK6D230-80EX是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用高性能的TrenchMOS技术，专为高效能功率转换和电源管理应用设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高开关性能，适用于汽车电子、工业电源、DC-DC转换器和电机控制等高要求的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：80V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：230A
导通电阻（RDS(on)）：最大值5.7mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：Power-SO8（也称为LFPAK）
BUK6D230-80EX具备多项高性能特性，包括极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。其RDS(on)在VGS=10V时最大为5.7mΩ，这在同类产品中处于领先水平，使得该器件在大电流应用中表现出色。
此外，该MOSFET采用先进的TrenchMOS工艺，确保了优异的开关性能和热稳定性，适用于高频率开关应用。其Power-SO8（LFPAK）封装具有出色的热管理能力，能够有效散热，同时支持表面贴装工艺，提高生产效率。
器件的工作温度范围宽达-55°C至+175°C，使其适用于恶劣的工业和汽车环境。该器件还具备良好的雪崩能量承受能力和高短路耐受能力，增强了其在极端工作条件下的可靠性和稳定性。
BUK6D230-80EX广泛应用于多种高功率和高效率需求的电子系统中，包括但不限于：汽车电子系统（如电动助力转向、电池管理系统和车载充电器）、工业电源、DC-DC转换器、服务器电源、电机驱动器、功率因数校正（PFC）电路以及各种类型的功率开关电路。
由于其低导通电阻和优异的开关性能，该器件特别适用于需要高效能功率转换的场合，能够有效降低系统损耗并提升整体效率。在新能源汽车、智能电网设备和可再生能源系统中，BUK6D230-80EX也展现出良好的应用潜力。
SiZ230DT, BSC023N08NS5, IPB023N08N3 G, FDBL230N80F
