时间：2025/9/14 12:24:10
阅读：8
BUK664R4-55C,118 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率电源转换系统和功率管理应用。该器件采用了先进的TrenchMOS技术，提供了极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了系统的整体效率。该MOSFET采用SOT404（D2PAK）封装，具有良好的散热性能，适用于高电流和高温工作环境。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：55V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：160A
导通电阻（RDS(on)）：4.2mΩ @ VGS=10V
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：SOT404（D2PAK）
BUK664R4-55C,118 具有极低的导通电阻（RDS(on)），典型值为4.2毫欧姆，这使得该器件在高电流应用中具有极低的传导损耗，从而提高了电源系统的效率。此外，该MOSFET采用了先进的TrenchMOS技术，优化了开关性能，降低了开关损耗，使其适用于高频开关电源和DC-DC转换器。
其SOT404（D2PAK）封装设计提供了优异的热管理性能，确保在高功率密度应用中仍能保持稳定的运行。该封装形式也便于散热片的安装，进一步增强其散热能力。
该MOSFET支持高达160A的连续漏极电流，适用于大电流负载应用，如电动车辆（EV）充电系统、服务器电源、工业电源和高功率LED照明系统等。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）使其在极端环境条件下仍能保持稳定性能。
该器件还具备良好的抗雪崩能力，提高了在高压尖峰环境下的可靠性和稳定性。其栅极驱动电压范围较宽，兼容标准逻辑电平驱动电路，简化了驱动电路的设计。
BUK664R4-55C,118 主要应用于高功率密度和高效率的电力电子系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动、电源管理系统、电动车辆充电模块、服务器电源、工业自动化设备和高亮度LED照明系统等。
由于其低导通电阻和优异的热性能，该MOSFET非常适合用于高频率开关电源设计，有助于减小电源系统的体积和重量，同时提高整体能效。
此外，该器件还可用于电池管理系统（BMS）中的功率开关，以及高功率负载的开关控制电路中，提供稳定可靠的功率控制方案。
BUK664R4-55C,118的替代型号包括BUK654R4-55B、IRF1405、IRF1406、SiR142DP、FDMS86101、STMW55N3LLH6、NVTFS5C471NL、FDD86101A、FDMS86180、FDMS86181
