时间：2025/7/22 19:25:24
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JCS5N60RB-O-R-N-B 是一款由 Jiangsu Changjing Electronics Co., Ltd. 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压、高功率的电源转换应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力以及优异的热稳定性，适用于开关电源、DC-DC 转换器、马达控制以及工业自动化设备等场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：5A
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
导通电阻(Rds(on))：≤2.5Ω
封装形式：TO-252（DPAK）
功率耗散(Pd)：50W
JCS5N60RB-O-R-N-B 具备多项优异的电气和热性能特性。首先，其漏源耐压高达 600V，能够胜任高压开关应用，确保在高压环境下工作的稳定性和安全性。其次，该 MOSFET 的导通电阻 Rds(on) 低至 2.5Ω 以下，有助于减少导通损耗，提高能效。此外，其最大连续漏极电流为 5A，适合中高功率的应用场景。
该器件的栅源电压范围为 ±30V，具有良好的抗过压能力，防止因栅极电压波动而引起的误操作或损坏。其 TO-252（DPAK）封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于 PCB 板上的安装和焊接。
JCS5N60RB-O-R-N-B 还具备良好的热稳定性和抗雪崩击穿能力，可在高温环境下稳定运行，适用于高可靠性要求的工业控制和电力电子设备。此外，其低输入电容和快速开关特性也使其适用于高频开关应用，如电源适配器、LED 驱动器和马达控制电路。
JCS5N60RB-O-R-N-B 主要应用于各种电力电子设备和控制系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、AC-DC 和 DC-DC 转换器、LED 照明驱动器、电池充电器、马达控制模块、工业自动化设备以及智能家电中的功率控制单元。该器件的高耐压和低导通电阻特性使其特别适合于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。
5N60C3、5N60CF、FQP5N60C、IRFBC40、KSC5N60RB
