时间：2025/8/15 8:26:51
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RFDA2015TR7 是一款由 RFDA（RFD ASIA）公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和 DC-DC 转换器等电路中。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了卓越的导通性能和热稳定性。其封装形式为 SOT-23，适用于表面贴装技术（SMT），适合高密度 PCB 设计。
类型: N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (ID): 2.5A
最大漏源电压 (VDS): 20V
最大栅源电压 (VGS): ±12V
导通电阻 (RDS(on)): 28mΩ @ VGS = 4.5V
导通阈值电压 (VGS(th)): 0.6V ~ 1.5V
功耗 (PD): 2.5W
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
封装类型: SOT-23
RFDA2015TR7 具备多项出色的电气性能和物理特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，这在高频率开关应用中尤为重要。其次，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 结构，使其在较小的芯片面积上实现更低的导通电阻和更高的电流承载能力。
此外，RFDA2015TR7 具有良好的热稳定性，其最大工作温度可达 150°C，确保在高温环境下仍能稳定工作。SOT-23 封装不仅体积小巧，而且具备良好的散热性能，适用于空间受限的电路设计。
RFDA2015TR7 主要应用于低电压功率开关、同步整流器、负载开关、DC-DC 转换器、电池管理系统、电源管理单元（PMU）、便携式电子设备电源控制等领域。
Si2302DS, 2N7002, AO3400A
