型号：BUK475-200A
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：38A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：150A
　　导通电阻（RDS(on)）：40mΩ（@ VGS = 10V, ID = 19A）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：2300pF（@ VDS = 25V）
　　输出电容（Coss）：640pF（@ VDS = 25V）
　　反向恢复时间（trr）：46ns
　　最大功耗（Ptot）：150W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220

BUK475-200A的核心优势在于其极低的导通电阻与高电流承载能力之间的良好平衡，这使得它在大功率开关应用中能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件基于NXP成熟的TrenchMOS工艺制造，这种垂直沟槽结构不仅提升了单位面积的载流能力，还有效降低了RDS(on)，从而减少发热并提升功率密度。在实际应用中，即使在高温环境下，其RDS(on)随温度上升的变化率也相对较小，保证了系统在不同工况下的稳定性。
　　该MOSFET具备出色的动态性能，其输入和输出电容较低，配合快速的开关速度，使其非常适合高频开关电源设计，如同步整流、半桥/全桥拓扑等。此外，其栅极电荷（Qg）适中，在保证快速开关的同时不会对驱动电路造成过大负担，有助于简化驱动器设计并降低EMI干扰。
　　在可靠性方面，BUK475-200A经过严格测试，具备优良的雪崩耐量（Unclamped Inductive Switching, UIS），能够在电感负载突然断开时承受瞬态高压而不损坏，这一特性对于电机驱动和继电器控制等存在感性负载的应用至关重要。同时，其高达175°C的最大结温允许器件在高温环境中长期运行，增强了系统的环境适应性。
　　封装方面，TO-220封装不仅提供了良好的机械强度，还便于安装散热片，有效将内部热量传导至外部环境，进一步提升功率处理能力。该器件还具有较低的热阻（Rth(j-c)），确保在高功率工作状态下结温不会迅速上升至危险水平。总体而言，BUK475-200A是一款集高性能、高可靠性和易用性于一体的功率MOSFET，适用于对效率和稳定性要求较高的工业级和汽车级应用。

BUK475-200A广泛应用于多种高功率电子系统中，尤其适合需要高效开关和大电流处理能力的场景。在开关模式电源（SMPS）中，该器件常用于主开关管或同步整流器，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著提升电源转换效率，减少能量损耗。在DC-DC转换器，特别是降压（Buck）和升压（Boost）拓扑结构中，BUK475-200A能够承受高输入电压并提供稳定的输出电流，适用于通信设备、服务器电源和嵌入式系统中的电压调节模块。
　　在电机控制系统中，该MOSFET可用于直流电机或步进电机的H桥驱动电路，实现正反转控制和PWM调速功能。其高电流承载能力和抗冲击性能使其在启动或堵转等极端工况下仍能保持稳定运行，避免因过流导致器件损坏。此外，在电动车窗、风扇、泵类等汽车电子负载驱动中，BUK475-200A也表现出良好的适用性。
　　在工业自动化领域，该器件可用于PLC输出模块、固态继电器（SSR）和电磁阀驱动电路，替代传统机械继电器，提升响应速度和使用寿命。其耐久性和抗干扰能力满足工业环境下的严苛要求。
　　此外，BUK475-200A还可用于逆变器、UPS不间断电源、太阳能充电控制器等新能源相关设备中，作为核心开关元件参与能量转换过程。由于其具备良好的热稳定性和长期运行可靠性，特别适合部署在密闭或高温环境中持续工作的系统中。总之，该器件适用于所有需要高效率、高可靠性和高功率密度的功率开关应用场合。

IPB028N20N
　　STP38NM20
　　IRF3710
　　FQP20N40L