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NB6L11DR2G 时间：2023/10/31 9:48:55 阅读：75

产品种类: 时钟缓冲器

概述

制造商: ON Semiconductor
产品种类: 时钟缓冲器
输出端数量: 2
最大输入频率: >6000 MHz
传播延迟（最大值）: 0.2 ns @ 2.375 V to 3.465 V
电源电压（最大值）: - 3.465 V or 3.465 V
电源电压（最小值）: - 2.375 V or 2.375 V
最大工作温度: + 85℃

最小工作温度: - 40℃

封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
封装: Reel

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产品型号
供应商
数量
厂商
封装/批号
询价

NB6L11DR2G
深圳市宝芯创电子有限公司
10337
ON
2023+/8SOIC

NB6L11DR2G
深圳市威尔健半导体有限公司
8500
ON/安森美
21+/NA

NB6L11DR2G
深圳市安富世纪电子有限公司
6500
ON/安森美
21+/SOP

NB6L11DR2G
深圳市莱多米科技电子有限公司
178
ON/安森美
10+/SOP8

NB6L11DR2G
深圳市富利微电子科技有限公司
30000
ON/安森美
22+/SOP8

NB6L11DR2G
深圳市富源微电子有限公司
5000
ON/安森美
22+/-

NB6L11DR2G
深圳市集好芯城科技有限公司
19989
ON/安森美
1122+ROHS/SMD8

NB6L11DR2G
深圳市华盛锦科技有限公司
59580
ON/安森美
22+/SOP8

NB6L11DR2G
深圳市辉华拓展科技有限公司
16235
ON/安森美
-/SOP8

NB6L11DR2G
深圳市博芯创达科技有限公司
4908
ON/安森美
2021+/-

NB6L11DR2G
深圳市科翼源电子有限公司
4601
ON/安森美
24+/SMD8

NB6L11DR2G
深圳市睿亚电子有限公司
8300
ON/安森美
21+/NA

NB6L11DR2G
深圳市腾桩电子有限公司
7300
ON/安森美
23+/SMD8

NB6L11DR2G
深圳中和芯电子有限公司
8000
ON/安森美
20+/SOP

NB6L11DR2G
深圳市创芯联盈电子有限公司
7300
ON/安森美
23+/SMD8

NB6L11DR2G
深圳市创芯联盈电子有限公司
8300
ON/安森美
23+/NA

NB6L11DR2G
深圳市威雅利发展有限公司
8700
ON/安森美
23+/-

NB6L11DR2G
深圳市创宝来科技有限公司
16800
ON
1808+/SOP

NB6L11DR2G
深圳市博正芯科技有限公司
7300
ON
22+/-

NB6L11DR2G
华芯盛世半导体（深圳）有限公
9208
ON
22+/-

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型号
描述
品牌
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NB6L11DR2G
2.5 V/3.3 V Multilevel Input to Diff...
ONSEMI
阅览

NB6L11DR2G
2.5 V/3.3 V Multilevel Input to Diff...
ONSEMI [ON Se...
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IC词条百科

NB6L11DR2G参数

标准包装2,500
类别集成电路 (IC)
家庭时钟/计时 - 时钟缓冲器，驱动器
系列-
类型扇出缓冲器（分配），变换器
电路数1
比率 - 输入:输出1:2
差分 - 输入:输出是/是
输入CML，LVCMOS，LVDS，LVNECL，LVPECL，LVTTL
输出ECL
频率 - 最大6GHz
电源电压2.375 V ~ 3.465 V
工作温度-40°C ~ 85°C
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装8-SOICN
包装带卷 (TR)

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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