类型：MOSFET/IGBT驱动器
　　电源电压：10V ~ 18V
　　输出电流：典型值±200mA
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：DIP-16
　　驱动能力：高压侧和低压侧均具备独立输出驱动
　　死区时间控制：具备可调死区时间控制功能
　　输入逻辑类型：TTL/CMOS兼容
　　传播延迟：典型值为100ns
　　封装形式：塑料双列直插式封装（DIP）

HEF4752VPBN 的核心特性之一是其具备独立的高压侧和低压侧驱动输出，能够有效支持半桥或全桥功率拓扑结构。
　　它内部集成了一个死区时间发生器，可以通过外部电阻调整死区时间，从而防止上下桥臂同时导通导致的直通电流问题，提高系统的安全性和稳定性。
　　此外，该IC具有较强的抗干扰能力，能够在开关频率较高的环境中保持稳定运行。其输入信号与TTL和CMOS电平兼容，便于与各种控制器连接。
　　在电源管理方面，HEF4752V的电源电压范围较宽（10V至18V），适应性强，可配合不同的电源系统使用。
　　其输出驱动能力达到±200mA，能够有效驱动大功率MOSFET或IGBT，减少外部驱动电路的复杂性。
　　该器件还具备过热保护和欠压锁定功能，以增强系统可靠性。

HEF4752VPBN 广泛应用于三相无刷直流电机控制器、交流伺服驱动器、变频器、UPS不间断电源系统、电焊机、感应加热设备以及太阳能逆变器等功率电子系统中。
　　由于其具备独立的高低边驱动能力和死区时间控制功能，特别适合用于构建高性能的桥式驱动电路。
　　在电机控制领域，该芯片可用于驱动H桥结构，实现电机的正反转控制。
　　在电源转换领域，HEF4752V常用于推挽式或半桥式DC-DC转换器，提升转换效率和系统稳定性。
　　此外，该芯片也常用于工业自动化设备、电动车辆驱动系统和储能逆变器等高功率应用场景。

IR2104、IRS2104、L6384、MIC4422