HN58V66AP-10E是一款由Renesas(瑞萨电子)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统。这款MOSFET设计用于在高压和高电流条件下提供卓越的性能,适用于如DC-DC转换器、电源管理模块和电池充电系统等应用。HN58V66AP-10E以其低导通电阻(Rds(on))、高耐压能力和出色的热稳定性而著称。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏极电流(Id):10A
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):0.27Ω(最大值)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-252(DPAK)
HN58V66AP-10E具有多项显著特性,确保其在各种电源管理应用中的可靠性和高效性。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,从而提高了整体系统的能效。这对于需要长时间运行的设备尤为重要,因为它有助于减少热量产生并延长设备寿命。
其次,HN58V66AP-10E具有较高的漏源电压(Vds)额定值,达到60V,这使其能够承受较高的电压应力,适用于多种高压应用。此外,该器件的栅源电压(Vgs)额定值为±20V,提供了更大的灵活性和安全性,防止栅极电压过高导致的损坏。
该MOSFET采用了TO-252(DPAK)封装形式,这种封装不仅提供了良好的热管理性能,还便于在印刷电路板(PCB)上安装和焊接。TO-252封装通常具有较低的热阻,有助于将热量迅速传导到PCB上,从而提高器件的散热能力。
此外,HN58V66AP-10E的工作温度范围为-55°C至+150°C,使其能够在极端温度条件下正常工作,适用于各种严苛的工业和汽车环境。
HN58V66AP-10E适用于多种电源管理应用,包括但不限于DC-DC转换器、电源管理模块、电池充电系统和负载开关。在DC-DC转换器中,该MOSFET可以用作主开关器件,通过高效地切换电流来实现电压转换。在电源管理模块中,HN58V66AP-10E可以用于控制和调节电源的分配,确保系统各部分获得稳定的电力供应。在电池充电系统中,该器件可以用于控制充电电流和电压,保护电池免受过充和过放的损害。此外,HN58V66AP-10E还可以用于负载开关应用,通过控制电路的通断来管理设备的功耗。
Si4410BDY, IRFZ44N, FDP6030L, NTD4858N