型号：BUK474
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id @ 25°C）：19A
　　脉冲漏极电流（Idm）：76A
　　导通电阻（Rds(on) @ Vgs = 10V）：8.5mΩ
　　导通电阻（Rds(on) @ Vgs = 4.5V）：12mΩ
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：1020pF @ Vds=15V
　　输出电容（Coss）：360pF @ Vds=15V
　　反向恢复时间（trr）：28ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SO8 / TSSOP8

BUK474采用NXP先进的TrenchMOS工艺制造，这一技术通过优化沟道结构和掺杂分布，显著降低了导通电阻Rds(on)，同时保持了良好的击穿电压能力。该器件在Vgs为10V时的典型Rds(on)仅为8.5mΩ，在4.5V驱动条件下也能维持12mΩ的低阻值，这使其在低电压大电流应用中表现出色，有效减少功率损耗并提升系统效率。此外，其低栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd）确保了快速的开关响应，适合高频开关操作，如同步整流和DC-DC降压变换器。器件的输入电容和输出电容经过优化设计，有助于降低开关过程中的能量损耗，减少电磁干扰（EMI），从而提高整体电源系统的稳定性。
　　BUK474具备良好的热性能和可靠性，其最大工作结温可达+150°C，并内置了热关断保护机制，能够在异常温升情况下自动限制电流以防止损坏。该MOSFET还具有较强的抗雪崩能力，能够承受一定程度的瞬态过压冲击，提升了在恶劣工作环境下的耐用性。其栅氧化层经过严格工艺控制，保证了长期使用的稳定性和耐久性，避免因栅极击穿导致的早期失效。此外，器件支持逻辑电平驱动（4.5V~10V），可直接由常见的PWM控制器或微控制器IO口驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。
　　封装方面，BUK474采用SO8或TSSOP8等小型表面贴装封装，不仅节省PCB空间，而且通过暴露焊盘（exposed pad）设计增强了散热能力，使热量能更有效地传导至PCB地层，进一步提升功率密度和长期运行可靠性。所有材料均符合RoHS指令要求，支持无铅回流焊工艺，适应现代自动化生产流程。综合来看，BUK474是一款兼具高性能、高可靠性和良好工艺兼容性的功率MOSFET，特别适用于对效率、尺寸和热管理有较高要求的应用场景。

BUK474广泛应用于各类中等功率电源管理系统中。在DC-DC转换器领域，常用于同步整流拓扑结构中作为下管或上管，尤其在12V输入转3.3V/5V输出的降压变换器中表现优异，凭借其低Rds(on)和快速开关特性显著提升转换效率。在负载开关电路中，该器件可用于控制电源路径的通断，实现对下游模块的上电 sequencing 和浪涌电流限制，常见于笔记本电脑、平板电脑和嵌入式系统的电源管理单元。此外，BUK474也适用于电机驱动应用，例如小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路，能够提供足够的电流驱动能力和快速响应速度。
　　在电池供电设备中，如移动电源、便携式医疗仪器和无线传感器节点，BUK474因其低静态功耗和高效能转换而成为理想选择。它还可用于热插拔控制器中的主开关元件，防止带电插拔时产生过大冲击电流，保护系统电源总线。在工业自动化控制系统中，该器件可用于继电器替代方案或固态开关设计，提高响应速度和使用寿命。通信设备中的板级电源分配系统同样采用此类MOSFET进行多路电源管理。此外，BUK474也可用于LED驱动电路中的恒流调节开关，特别是在需要调光功能的应用中，其快速开关能力有助于实现精确的PWM调光控制。总之，凡涉及低压大电流、高效率开关操作的场合，BUK474都能发挥出色性能。

IPD95310CRZ, FDS6680A, SI4404DY, IRF7473PBF