CMP70N20是一款N沟道增强型MOSFET,主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著降低系统功耗并提高效率。它采用了TO-220封装形式,便于散热和安装,适用于多种工业及消费类电子应用。
最大漏源电压:200V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:70A
导通电阻:0.18Ω
总功耗:160W
工作温度范围:-55℃至+150℃
CMP70N20具备出色的电气性能和可靠性。
1. 极低的导通电阻确保了在高电流应用中的高效运行,降低了功率损耗。
2. 快速开关能力使其非常适合高频开关应用,减少开关损耗。
3. 高雪崩能量承受能力增强了器件的鲁棒性,能够在异常条件下正常工作。
4. 具备良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定性能。
5. TO-220封装提供优秀的散热性能,简化了系统的热设计过程。
这款MOSFET广泛应用于各种领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 直流电机驱动电路,用于控制电机的速度和方向。
3. 太阳能逆变器中作为功率转换的关键元件。
4. 各种负载切换和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 消费类电子产品中的高效功率管理单元。
IRF740
STP70NF20
FDP70N20