BUK474-200A 时间：2025/12/27 20:28:54 阅读：44

BUK474-200A是一款由NXP Semiconductors（原Philips Semiconductors）生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和照明镇流器等中高功率场景。该器件采用先进的TrenchMOS技术制造，能够在较低的导通电阻下实现优异的开关性能，从而显著降低系统功耗并提高整体能效。BUK474-200A的设计注重热稳定性和可靠性，适用于工业控制、电信设备以及消费类电子产品中的关键功率转换环节。
　　该MOSFET封装在TO-220或类似形式的塑料封装中，具备良好的散热能力，能够承受较高的工作温度。其引脚配置通常为标准三端结构：源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate），便于在PCB布局中进行安装与连接。由于其出色的电气特性和坚固的封装设计，BUK474-200A在需要长期稳定运行的应用中表现出色，是许多工程师在选择中压功率MOSFET时的优选之一。此外，该器件符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子制造的趋势。

参数

型号：BUK474-200A
　　制造商：NXP Semiconductors
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：200 V
　　最大连续漏极电流（Id）：18 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：72 A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.045 Ω @ Vgs = 10 V, Id = 9 A
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：1300 pF @ Vds = 25 V
　　输出电容（Coss）：470 pF @ Vds = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：未内置续流二极管（或快速体二极管）
　　栅极电荷（Qg）：65 nC @ Vgs = 10 V
　　最大功耗（Ptot）：93 W @ 25°C
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装类型：TO-220

特性

BUK474-200A的核心优势在于其低导通电阻与高电流承载能力的完美结合，使其在大功率开关应用中具有极低的传导损耗。该器件的典型Rds(on)仅为45毫欧，在Vgs=10V条件下可有效减少发热，提升系统效率。同时，得益于TrenchMOS制造工艺，其跨导（Transconductance）较高，使得在较低的栅极驱动电压下也能实现充分导通，增强了对驱动电路的兼容性。
　　该MOSFET具备优良的开关特性，包括较低的输入和输出电容，有助于减小开关过程中的能量损耗，特别适合高频开关环境，如开关模式电源（SMPS）和同步整流电路。其栅极电荷（Qg）仅为65nC，意味着驱动所需的能量较少，可以配合简单的驱动电路工作，降低整体系统成本。
　　热性能方面，TO-220封装提供了良好的热传导路径，允许通过散热片进一步增强散热效果，确保在高负载工况下的长期稳定性。器件的工作结温高达+150°C，具备较强的热耐受能力，适用于严苛工业环境。
　　此外，BUK474-200A具有较高的雪崩能量承受能力，表现出良好的鲁棒性，在意外电压瞬变或感性负载切换过程中不易损坏。其栅极氧化层经过优化设计，提高了抗静电（ESD）能力和长期可靠性，减少了因过压或误操作导致的失效风险。综合来看，该器件在效率、可靠性和性价比之间实现了良好平衡，是中高压功率转换领域的理想选择。

应用

BUK474-200A广泛应用于各类需要高效功率控制的电子系统中。常见用途包括开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流器，尤其适用于AC-DC和DC-DC转换器拓扑，如正激、反激、推挽和半桥结构。凭借其低Rds(on)和高电流能力，它能在高频率下保持较低温升，提升电源整体效率。
　　在电机驱动领域，该器件可用于直流电机或步进电机的H桥驱动电路，作为上下桥臂的开关元件，提供快速响应和低功耗控制。其快速开关特性和良好热稳定性确保了电机运行平稳且发热量可控。
　　此外，BUK474-200A也常用于电子镇流器、LED驱动电源和逆变器系统中，特别是在需要将直流电转换为交流电的场合，如太阳能微逆变器或UPS不间断电源。其高耐压特性使其能够安全应对线路中的电压波动和瞬态冲击。
　　在工业自动化控制系统中，该MOSFET可用于继电器替代、固态开关或负载切换模块，实现无触点、长寿命的电力控制。同时，由于其符合RoHS标准，也适用于消费类电子产品中的绿色节能设计，如大功率适配器、充电器和家电电源模块。