时间：2025/5/15 15:02:21
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PL883N3N02 是一款基于增强型 MOSFET 技术的 N 沟道功率场效应晶体管（Power MOSFET），适用于高效率、低损耗的电源转换和开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具备较低的导通电阻和较高的开关速度，适合于多种工业及消费电子领域的应用。其封装形式通常为表面贴装类型，有助于提高电路板设计的灵活性和散热性能。
该型号在设计上注重降低功耗，同时保持了出色的可靠性和稳定性，使其成为许多电力电子应用中的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：74A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：120nC
总电容：1900pF
工作结温范围：-55℃ to 150℃
PL883N3N02 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效减少传导损耗并提升系统效率。
2. 高电流处理能力，支持高达 74A 的连续漏极电流，满足大功率应用需求。
3. 快速开关性能，具有较小的栅极电荷和输出电容，可实现高效高频操作。
4. 稳定的工作温度范围，能够在 -55℃ 至 +150℃ 的环境中正常运行，适应各种严苛工况。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计，适合现代绿色电子产品的要求。
PL883N3N02 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器或主开关元件。
2. DC/DC 转换器，用于高效的电压调节和功率传输。
3. 电机驱动控制，如电动车窗、电动座椅等汽车电子系统的驱动电路。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
5. 电池管理系统（BMS），用于精准的电流控制和能量管理。
6. 大功率 LED 驱动器，确保稳定亮度输出。
PL883N3N01, IRFZ44N, FDP55N06L
