类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：2.8A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.075Ω（最大值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：SOP-8

BUH315DXI具备多个关键特性，使其在各种功率应用中表现出色。首先，该MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提高系统效率。其次，它具有较高的耐压能力（30V Vds），能够在较宽的电压范围内安全运行，适用于多种电源拓扑结构。此外，该器件的栅极驱动电压范围宽，支持标准逻辑电平驱动，便于与控制器或驱动器集成。
　　在封装方面，BUH315DXI采用SOP-8封装，具备良好的散热性能和空间利用率，适用于紧凑型设计。该封装还具备良好的电气隔离性能，能够有效防止短路和过流损坏。
　　BUH315DXI还具有良好的热稳定性和过温保护能力，能够在高温环境下稳定运行，提高系统的可靠性。其内部结构设计优化了电流分布，降低了开关损耗，提高了整体性能。

BUH315DXI广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. 电源管理：如DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统，其低导通电阻和高耐压特性可有效提升系统效率和稳定性。
　　2. 电池管理系统：适用于便携式设备和电动工具中的电池充放电控制，确保电池的安全运行和延长使用寿命。
　　3. 工业控制：用于电机驱动、继电器替代和工业自动化系统中的高边开关，提供可靠的功率控制解决方案。
　　4. 通信设备：如基站电源、路由器和交换机的电源模块，确保高效稳定的电力供应。
　　5. 消费类电子产品：例如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中的电源管理电路，满足小型化和高效率的需求。

BUH315DXI的替代型号包括BUH315DX、BUH315DX-F、BUH315DX-G等。