SQ4936EY 时间：2025/8/16 22:14:30 阅读：11

SQ4936EY是一款由Vishay Siliconix制造的高性能N沟道增强型MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用设计，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等多种电子系统。SQ4936EY采用先进的TrenchFET?技术，能够在较小的封装尺寸内提供卓越的电气性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：6.6A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：23mΩ @ VGS = 10V
　　导通电阻（RDS(on)）：30mΩ @ VGS = 4.5V
　　栅极电荷（Qg）：10nC @ 10V
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：PowerPAK SC-70

特性

SQ4936EY具有多个关键特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻可以显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET具备快速开关特性，适用于高频操作，从而减小外部滤波元件的尺寸并提高响应速度。
　　此外，SQ4936EY采用先进的TrenchFET?技术，使得在保持高性能的同时，芯片尺寸更小，提高了功率密度。该器件还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，确保长期可靠性。
　　其PowerPAK SC-70封装形式具有优异的热管理性能，有助于快速散热，适用于空间受限的便携式设备和高密度电路设计。

应用

SQ4936EY广泛应用于多种电源管理系统和功率控制电路中。常见的用途包括同步整流DC-DC转换器、电池供电设备中的负载开关、电机驱动电路、电源管理单元（PMU）以及便携式电子产品中的电压调节模块。由于其优异的导通性能和热管理能力，该MOSFET也常用于汽车电子、工业控制和通信设备中的高效能功率转换系统。