BU922PFI是一款由ROHM(罗姆)公司生产的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要设计用于高功率开关应用,例如电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,具备低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,能够在高温环境下稳定运行。BU922PFI封装为HSSOP(B)形式,适合表面贴装,便于在高密度PCB设计中使用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):120A
导通电阻(Rds(on)):2.9mΩ(典型值,Vgs=10V)
功率耗散(Pd):150W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:HSSOP(B)
BU922PFI具有多项优异的电气和热性能,使其适用于高性能功率管理系统。首先,其低导通电阻(Rds(on))有助于降低导通损耗,提高系统效率,从而减少发热并提升整体能效。其次,该器件支持高达120A的连续漏极电流,适用于需要高电流驱动能力的应用场景。
此外,BU922PFI具备良好的热稳定性,能够在高温环境下持续工作,增强了系统的可靠性和耐用性。其HSSOP(B)封装设计不仅节省空间,还提供了良好的散热性能,确保在高功率操作下的稳定性。
该MOSFET还具有快速开关特性,能够有效降低开关损耗,适用于高频开关电源和电机控制等对响应速度有要求的应用。同时,其栅极驱动电压范围较宽,兼容标准的10V或12V驱动电路,简化了驱动电路的设计复杂度。
BU922PFI广泛应用于各种高功率电子设备中,尤其适合需要高效能功率管理的场合。例如,在DC-DC转换器中,该器件可作为主开关元件,提高转换效率并减小系统体积。在电机控制电路中,BU922PFI可用于驱动大功率直流电机,提供稳定可靠的电流控制。
此外,该MOSFET还可用于电池管理系统(BMS)、电动工具、工业自动化设备、电动车辆(如电动车、电动滑板车)的功率控制系统,以及服务器和通信设备的电源模块。其高电流能力和良好的热管理特性使其成为高性能电源设计中的理想选择。
SiSS120DN-T1-GE3, IRF120N, FDMS86101, IPB120N10N3 G