容量：8 Gb
　　类型：DRAM
　　封装类型：FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）
　　组织结构：x8/ x16（支持多种数据宽度）
　　工作电压：1.35V（低电压版）或1.5V（标准电压版）
　　时钟频率：支持高达800MHz、1066MHz、1333MHz等多种频率
　　数据速率：等效于1600Mbps、2133Mbps、2666Mbps等
　　接口类型：DDR3 SDRAM
　　工作温度范围：商业级（0°C至85°C）或工业级（-40°C至85°C）
　　内存架构：支持突发模式、自刷新、预充电等操作模式
　　数据总线宽度：x8/x16

H9CKNNN8KTMRLR-NTM 是一款DDR3 SDRAM芯片，具有较高的数据传输速率和较低的功耗特性，适用于需要高速内存访问的系统。该芯片采用了现代先进的DRAM制造工艺，能够在保持高性能的同时降低能耗，尤其适用于对散热和功耗有严格要求的设备。此外，该芯片支持多种操作模式，包括突发读写、自动刷新、预充电等，提高了系统在复杂应用场景下的稳定性和效率。其FBGA封装形式具有良好的散热性能和较高的集成度，能够适应高密度PCB布局的需求。该芯片还支持多种延迟配置（latency settings），允许根据系统需求进行优化调整，从而实现最佳的性能与功耗平衡。其支持的工业级温度范围也使其能够在严苛的环境条件下可靠运行。

H9CKNNN8KTMRLR-NTM 主要应用于高性能计算系统、服务器主板、网络交换设备、高端图形卡、工业控制设备以及嵌入式系统。在这些设备中，它作为主内存使用，为系统提供快速的数据访问能力，从而提升整体性能。此外，由于其支持低电压操作和多种电源管理模式，因此也广泛应用于对功耗敏感的便携式设备和节能型服务器中。

H9CKNNN8KTMRLR-NTM的替代型号包括H9CKNNN8KTMRCG-NTM、H9CKNNN8KTCRLR-NTM、H9CKNNN8KTCRCG-NTM等，这些型号在封装、频率或电压方面略有差异，可根据具体应用需求进行选择。