时间：2025/5/23 12:33:39
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BU-61588P3-100 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET 芯片。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于需要高效能功率转换的应用场景。其封装形式为 HSOP8，适合表面贴装工艺，并且能够满足多种工业和消费类电子设备的需求。
这款 MOSFET 的主要特点在于其优化的 RDS(on) 参数，可以显著降低传导损耗，同时具备良好的热性能，有助于提升整体系统效率。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：2.7A
导通电阻：10mΩ
栅极电荷：6nC
工作温度范围：-40℃ 至 +150℃
封装类型：HSOP8
BU-61588P3-100 的设计结合了高性能与紧凑尺寸的优点：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，有助于减少能量损失并提高效率。
2. 高速开关能力使其非常适合高频应用环境。
3. 小型化封装支持更高的板级密度。
4. 出色的热稳定性和可靠性，确保在恶劣条件下依然保持正常工作。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅制造工艺。
6. 具备优异的静电防护性能 (ESD)，增强产品的耐用性。
该芯片广泛应用于各种功率管理场合，包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器。
2. 电池充电管理系统。
3. LED 照明驱动电路。
4. 电机控制和驱动电路。
5. 消费类电子产品中的负载切换功能。
6. 工业自动化设备中的功率调节模块。
BUK7B2R0-40E, IRFZ44N
