STGD5NB120SZT4 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片,主要用于高功率和高电压应用。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降优势,适用于电机控制、电源转换、工业自动化和可再生能源系统等领域。
类型:IGBT
集电极-发射极击穿电压(VCES):1200V
额定集电极电流(IC):5A
栅极-发射极电压(VGE):±20V
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220
导通压降(VCE_sat):典型值为1.75V(在IC=5A时)
短路耐受能力:支持
热阻(Rth(j-c)):典型值为60°C/W
STGD5NB120SZT4具备多项先进特性,确保其在高功率应用中的稳定性和可靠性。
首先,该IGBT器件具有高击穿电压能力(VCES为1200V),适用于高电压工作环境,能够有效防止电压尖峰引起的失效问题。
其次,该芯片采用了先进的沟槽栅(Trench Gate)和场截止(Field Stop)技术,显著降低了导通压降(VCE_sat)和开关损耗,从而提高了系统整体效率。
此外,该器件具有良好的短路耐受能力,能够在异常工作条件下提供额外的安全保障,避免因瞬时过载导致的器件损坏。
其封装形式为TO-220,具备良好的热管理和机械稳定性,适用于需要高效散热的功率电路设计。
最后,STGD5NB120SZT4的工作温度范围宽(-55°C至150°C),适应各种严苛环境下的应用需求,包括工业控制、电动汽车和太阳能逆变器等。
STGD5NB120SZT4广泛应用于需要高电压和高效率的功率电子系统中。
例如,在电机驱动和变频器中,该IGBT用于实现高效的电能转换和精确的电机控制;在工业电源和UPS(不间断电源)系统中,它用于构建高效的DC-AC逆变器模块;在可再生能源领域,如太阳能逆变器和风力发电变流器中,该器件用于实现高效的能量转换和并网控制;此外,在电动汽车充电设备和电能质量调节装置中,STGD5NB120SZT4也发挥着重要作用,确保系统在高电压和大电流条件下的稳定运行。
SGW25N120HD, FGA25N120ANTD, IRGP50B60PBF