时间：2025/6/26 22:33:53
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BTS621L1是一款N沟道增强型MOSFET，专为低电压、大电流应用设计。它具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备中的功率管理。该器件采用小型SOT-23封装，有助于节省PCB空间，同时保持出色的电气性能。
由于其优化的栅极驱动特性和低阈值电压，BTS621L1能够实现高效的功率传输，同时简化了电路设计。此外，它还具有反向极性保护功能，增强了系统的可靠性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻（典型值）：95mΩ
栅极阈值电压：1.2V至2.5V
工作结温范围：-55℃至150℃
封装形式：SOT-23
BTS621L1的主要特性包括：
1. 低导通电阻，有助于降低功耗并提升效率。
2. 小型SOT-23封装，便于在紧凑型设计中使用。
3. 较低的栅极电荷，支持高频开关操作。
4. 宽工作温度范围，适应各种环境条件。
5. 内置反向极性保护功能，防止电源接反导致损坏。
6. 稳定的电气性能，确保在多种应用中可靠运行。
这些特性使得BTS621L1成为消费电子、工业控制和汽车电子等领域的理想选择。
BTS621L1适用于以下应用场景：
1. 移动设备中的负载开关和电池保护电路。
2. DC-DC转换器及升压/降压模块。
3. 便携式电子产品中的功率管理。
4. 工业设备中的信号隔离与电源切换。
5. 汽车电子系统中的低压功率控制。
6. LED驱动器和其他需要高效功率传输的场合。
BTS621L1凭借其卓越的性能和可靠性，能够在这些领域提供稳定且高效的解决方案。
BTS620L1, BTS622L1
