时间：2025/9/2 14:11:50
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MTM6N80是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供高效率和低导通电阻的特点，适用于各种高电压高电流应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：800V
最大漏极电流(Id)：6A
导通电阻(Rds(on))：典型值为1.5Ω
栅极阈值电压(Vgs(th))：2V~4V
最大功耗(Pd)：50W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
MTM6N80采用了先进的沟槽技术，使其具有较低的导通电阻和较高的开关速度，从而提高了整体效率。此外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，可以在恶劣的工作条件下长时间运行。MTM6N80还具备较高的耐压能力，适用于800V的高压应用场景。其封装形式通常为TO-220或DPAK，便于散热和安装。
在开关性能方面，MTM6N80具有快速的上升和下降时间，可以有效减少开关损耗，适用于高频开关电源应用。该器件还具有较低的栅极电荷，有助于降低驱动损耗，提高系统的整体能效。同时，MTM6N80具备较强的抗过载能力，在短时间内能够承受较高的电流冲击，确保系统的稳定运行。
在实际应用中，MTM6N80具有良好的安全工作区(SOA)，能够在各种工作条件下保持稳定的性能。其设计确保了在高温环境下仍能维持较低的导通压降，从而减少了散热需求，提高了系统可靠性。
MTM6N80广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动电路、照明设备、工业自动化控制以及消费类电子产品中的功率管理模块。
FQP6N80C, IRF6N80C, STF6N80
