时间：2025/6/12 3:00:40
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BTR04D3 是一款高性能的 N 沤道功率场效应晶体管（N-Channel Power MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。该器件采用 TO-252 封装形式，具有低导通电阻和高效率的特点，适合中等功率应用。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：4.2A
导通电阻：75mΩ
栅极电荷：19nC
总耗散功率：1.3W
工作温度范围：-40℃至150℃
BTR04D3 具有较低的导通电阻，能够显著减少传导损耗，从而提升整体系统效率。
其紧凑的 TO-252 封装设计使其非常适合空间受限的应用环境。
该器件具备快速开关能力，可有效降低开关损耗。
BTR04D3 的高雪崩能量能力增强了其在恶劣条件下的可靠性。
此外，它还具有较低的输入电容和输出电容，有助于优化电路性能。
BTR04D3 主要用于 DC/DC 转换器、降压/升压转换器、电池管理模块、电机驱动电路以及负载开关等应用领域。
由于其出色的效率和可靠性，该器件也常被用作便携式电子设备中的功率开关元件。
BSS138
IRF530
FQP17N06
