AP90N03S 时间：2025/9/14 22:42:20 阅读：5

AP90N03S是一款由Diodes Incorporated生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于需要高效能和低功耗的应用场景。AP90N03S采用TO-252（DPAK）封装，适用于表面贴装，具有良好的热管理和电气性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：90A
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值，VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

AP90N03S具有极低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其低RDS(on)特性得益于先进的沟槽技术，使得MOSFET能够在高电流条件下保持较低的温度上升。此外，该器件具有较高的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行，适合长时间工作在高电流环境下。
　　AP90N03S的封装形式为TO-252（DPAK），这是一种常见的表面贴装封装，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。该封装形式有助于提高PCB布局的灵活性，并简化制造流程。同时，AP90N03S具备良好的栅极驱动兼容性，能够与常见的驱动电路配合使用，实现高效的开关控制。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，能够在极端条件下提供更高的可靠性和耐用性。这些特性使其成为高性能电源管理系统、DC-DC转换器和电池管理系统中的理想选择。

应用

AP90N03S广泛应用于各种高功率、高效率的电子系统中。常见的应用包括同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及工业控制设备中的功率开关。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适用于需要高效能转换的场合，例如电源适配器、服务器电源、电动工具和电动汽车的电源管理系统。
　　在电源管理应用中，AP90N03S能够显著降低导通损耗并提高整体效率，从而帮助系统达到更高的能效标准。此外，在电池管理系统中，该MOSFET可以用于控制电池的充放电路径，确保系统的安全性和可靠性。由于其高稳定性和良好的热管理性能，AP90N03S也适用于需要长时间运行的工业设备和高功率LED照明系统。