时间：2025/5/20 9:22:18
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BTM7752G是由英飞凌（Infineon）生产的一款双通道N沟道增强型MOSFET功率晶体管，采用SuperSO8封装。该器件主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合效率要求较高的应用场合。
BTM7752G集成了两个独立的MOSFET通道，每个通道均可独立控制，具有较低的导通电阻和优秀的热性能，能够有效降低功耗并提升系统效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流（单通道）：124A
导通电阻（Rds(on)）：1.6mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：58nC
总热阻（结到环境）：40°C/W
工作温度范围：-55°C至175°C
1. 高电流承载能力，适合大功率应用。
2. 极低的导通电阻，减少传导损耗。
3. 超紧凑SuperSO8封装，节省PCB空间。
4. 支持高达175°C的工作温度，适用于恶劣环境。
5. 内置ESD保护，提高系统可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保设计。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. 汽车电子系统中的电机驱动与负载切换。
3. 工业自动化设备中的功率控制。
4. 大电流DC/DC转换器。
5. 照明系统中的LED驱动器。
6. 电池管理系统中的充放电控制。
BTM7752GL
IPW120N03S4
IRF7752G
