时间：2025/7/25 17:14:32
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UMH11N 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频开关应用和功率管理领域。该器件采用小型表面贴装封装，适用于需要高效能和紧凑设计的电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：11A（最大）
导通电阻（RDS(ON)）：0.36Ω（最大）
功率耗散（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-223
UMH11N 具备低导通电阻的特点，有助于减少功率损耗，提高能效。其 N 沟道设计和高电流能力使其适合用于高频开关电路中，例如 DC-DC 转换器和电机控制电路。
该器件的 SOT-223 封装形式提供了较小的占板面积，适合紧凑型设计。此外，UMH11N 的高栅源电压耐受能力使其在需要较宽电压范围的电路设计中具有更高的可靠性。
在热管理方面，UMH11N 设计有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，同时具备良好的过热保护性能。这种特性使得它在工业控制、电源管理和汽车电子等领域具有广泛的应用前景。
UMH11N 的电气特性在宽温度范围内保持稳定，确保其在各种工作条件下都能可靠运行。
UMH11N 常用于 DC-DC 转换器、电源管理模块、电机驱动电路、电池充电器以及工业控制设备中的高频开关电路。此外，它也适用于消费类电子产品中的功率管理应用，如 LED 照明驱动、便携式设备的电源转换等。
在汽车电子领域，UMH11N 可用于车载电源系统、车载充电器和电动助力转向系统等应用。其小型封装和高可靠性使其成为汽车电子设计中的理想选择。
由于其出色的高频特性和低导通电阻，UMH11N 还可用于无线充电系统、功率放大器和开关电源的设计中。
Si2302DS, FDS6679, IRF7409
