BTB1498N3 时间：2025/8/13 18:41:10 阅读：21

BTB1498N3 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频应用。该器件采用先进的技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、电池管理系统等高要求的应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：200A（在TC=25°C）
　　最大漏源电压（VDS）：75V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.7mΩ（在VGS=10V）
　　封装形式：TO-263（D2Pak）
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

BTB1498N3 的核心优势在于其出色的导通性能和开关性能。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件采用了先进的沟槽栅技术，使得其在高频应用中表现出色，减少了开关损耗。
　　该MOSFET具有高耐压特性，其漏源击穿电压（VDS）高达75V，能够适应多种高功率应用场景。同时，其高栅源电压耐受能力（±20V）增强了其在复杂电路中的稳定性。
　　在热管理方面，BTB1498N3 使用TO-263（D2Pak）封装，具有良好的散热性能，能够在高电流条件下保持较低的工作温度，从而提高整体系统的可靠性。
　　该器件还具备高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压情况下提供额外的安全保障，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子应用。

应用

BTB1498N3 广泛应用于多种高功率电子系统中，例如直流电机控制、电源管理、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。此外，它也适用于汽车电子中的高电流负载控制，如电动助力转向系统（EPS）、电动水泵和空调压缩机控制等。
　　由于其高可靠性和良好的热稳定性，该器件也常用于需要频繁开关操作的高频电源系统，例如开关电源（SMPS）和逆变器设计。