FAS236U-QD1 时间：2025/8/17 19:09:58 阅读：6

FAS236U-QD1 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的双N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面沟槽技术制造，具有低导通电阻、高功率密度和优良的热稳定性。该器件广泛应用于DC-DC转换器、电源管理模块、电池充电系统以及高效率开关电源等场合。

参数

类型：功率MOSFET
　　沟道类型：双N沟道
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：6A（单个通道）
　　导通电阻(Rds(on))：36mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻(Rds(on))：47mΩ @ Vgs=4.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：8引脚DFN（双侧散热）
　　安装方式：表面贴装

特性

FAS236U-QD1 采用了先进的平面沟槽MOSFET工艺，使得其在低电压应用中表现出色，尤其是在需要高效能和紧凑设计的电源系统中。其双N沟道结构允许在同步整流和H桥驱动中使用，从而提高了系统的整体效率。
　　该器件的低导通电阻（Rds(on)）使其在高电流负载下依然能保持较低的功率损耗，有效降低工作温度并提高系统稳定性。同时，其高栅极击穿电压（±20V）增强了抗干扰能力，适用于各种复杂的电气环境。
　　FAS236U-QD1 还具备优良的热性能，采用8引脚DFN封装，双侧散热设计使得热量能更有效地散发，提高了器件在高功率密度应用中的可靠性。
　　此外，该MOSFET具有快速开关特性，降低了开关损耗，适用于高频PWM控制电路，如DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器和负载开关等。其封装形式也支持自动化贴装工艺，提高了制造效率。

应用

FAS236U-QD1 主要应用于以下领域：
　　1. 同步整流型DC-DC转换器：用于笔记本电脑、移动电源、嵌入式系统等便携设备的电源管理模块。
　　2. 电池管理系统：用于电池充电与放电控制电路中，提高能量利用效率。
　　3. 电机驱动电路：适用于小型电机、步进电机或无刷电机的H桥驱动拓扑结构。
　　4. 负载开关与电源分配：在多路供电系统中作为高效率的电子开关使用。
　　5. 汽车电子系统：包括车载充电器、LED照明驱动、ECU电源控制等应用场景。