BSZ160N10NS3G 时间：2025/4/29 15:16:56 阅读：2

BSZ160N10NS3G是一款N沟道增强型MOSFET，采用先进的制程技术制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于需要高效能和快速响应的应用场景。BSZ160N10NS3G广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等电路中。

参数

最大漏源电压：100V
　　最大连续漏极电流：7.8A
　　最大栅源电压：±20V
　　导通电阻（典型值）：54mΩ
　　栅极电荷：9nC
　　输入电容：1290pF
　　总功耗：15W
　　工作温度范围：-55℃ to +175℃

特性

BSZ160N10NS3G具有非常低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。
　　其高雪崩能量能力使其能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
　　由于采用了先进的封装技术，该器件具备出色的热性能和电气性能。
　　此外，BSZ160N10NS3G的开关速度快，能够有效降低开关损耗。
　　它还具有较低的栅极电荷，使得驱动更加简单和高效。

应用

BSZ160N10NS3G适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源中的同步整流和高频转换
　　2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流管
　　3. 电机驱动和逆变器控制
　　4. 负载开关和保护电路
　　5. 汽车电子系统中的各种功率控制模块
　　6. 工业自动化设备中的功率管理单元
　　这款MOSFET因其高效和可靠的性能表现，成为众多工程师在设计高性能电路时的首选。