时间：2025/7/7 9:42:26
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MA0201CG1R0B250 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，主要用于高频和高功率应用场景。该器件采用了先进的封装工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。适用于电源管理、无线充电、电机驱动等领域。
这款 GaN 晶体管通过优化的芯片设计实现了更高的效率和更低的损耗，同时支持高达 200V 的工作电压。其紧凑的尺寸和高性能使其成为传统硅基 MOSFET 的理想替代品。
类型：增强型 GaN HEMT
最大漏源电压(Vds)：200V
最大栅源电压(Vgs)：+6V/-4V
连续漏极电流(Id)：8A
导通电阻(Rds(on))：16mΩ
栅极电荷(Qg)：30nC
输入电容(Ciss)：1390pF
输出电容(Coss)：27pF
反向传输电容(Crss)：7pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-252(DPAK)
MA0201CG1R0B250 具有以下显著特性：
1. 高效性：得益于低导通电阻和低开关损耗设计，能够实现高效率的能量转换。
2. 快速开关：支持 MHz 级别的开关频率，适合高频应用。
3. 热性能优异：采用优化的散热封装设计，确保在高功率密度下的稳定运行。
4. 小型化设计：相比传统的硅基 MOSFET，其更小的尺寸有助于节省电路板空间。
5. 可靠性高：符合 AEC-Q101 标准，适用于苛刻的工作环境。
6. 安全操作区域宽广：具备良好的过流保护能力和抗雪崩能力。
MA0201CG1R0B250 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)：如 AC-DC 和 DC-DC 转换器，提供高效的功率转换。
2. 无线充电：用于高效率的无线充电发射端设计。
3. 电机驱动：为各类电机控制系统提供快速响应和精确控制。
4. 充电器与适配器：提升快充设备的效率和功率密度。
5. 工业自动化：在工业逆变器、伺服驱动等场景中发挥重要作用。
6. 通信设备：适用于基站电源和其他通信基础设施中的功率管理模块。
MA0201CG1R0B200
MA0201CG1R0B300
GAN081-200WS
TPH3202PS
