BSZ130N03LSG是一款基于超结技术的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由英飞凌(Infineon)公司生产。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于高频开关应用场合,如DC-DC转换器、开关电源、电机驱动等领域。
这款MOSFET采用TO-Leadless封装形式,具备出色的热性能和电气性能。其设计旨在降低功耗并提高效率,非常适合需要高效能和小型化设计的应用场景。
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压Vds:30V
最大栅源电压Vgs:±20V
连续漏极电流Id:146A
导通电阻Rds(on):1.5mΩ(在典型条件下)
总功耗Ptot:279W
工作温度范围Tj:-55℃ to +175℃
封装形式:TO-Leadless
BSZ130N03LSG采用了先进的超结技术,使其具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)仅为1.5mΩ),有助于减少传导损耗并提升系统效率。
2. 高电流处理能力,支持高达146A的连续漏极电流。
3. 快速开关性能,可有效降低开关损耗。
4. 小型化的TO-Leadless封装形式,能够提供良好的散热性能和节省PCB空间。
5. 耐热增强设计,能够在宽广的温度范围内稳定工作。
6. 符合RoHS标准,环保无铅材料。
BSZ130N03LSG适用于各种高功率密度和高频开关的应用领域:
1. 开关模式电源(SMPS),包括AC-DC和DC-DC转换器。
2. 工业电机驱动和逆变器控制。
3. 电动车辆中的电池管理系统(BMS)和牵引逆变器。
4. 高效负载点(POL)转换器。
5. 太阳能微逆变器和其他可再生能源系统。
6. 各种工业和消费类电子设备中的功率管理模块。
BSC016N04LS G,BSD100N04LS G