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BSZ130N03LSG 发布时间 时间:2025/5/8 10:52:34 查看 阅读:10

BSZ130N03LSG是一款基于超结技术的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由英飞凌(Infineon)公司生产。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于高频开关应用场合,如DC-DC转换器、开关电源、电机驱动等领域。
  这款MOSFET采用TO-Leadless封装形式,具备出色的热性能和电气性能。其设计旨在降低功耗并提高效率,非常适合需要高效能和小型化设计的应用场景。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压Vds:30V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  连续漏极电流Id:146A
  导通电阻Rds(on):1.5mΩ(在典型条件下)
  总功耗Ptot:279W
  工作温度范围Tj:-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-Leadless

特性

BSZ130N03LSG采用了先进的超结技术,使其具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)仅为1.5mΩ),有助于减少传导损耗并提升系统效率。
  2. 高电流处理能力,支持高达146A的连续漏极电流。
  3. 快速开关性能,可有效降低开关损耗。
  4. 小型化的TO-Leadless封装形式,能够提供良好的散热性能和节省PCB空间。
  5. 耐热增强设计,能够在宽广的温度范围内稳定工作。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅材料。

应用

BSZ130N03LSG适用于各种高功率密度和高频开关的应用领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),包括AC-DC和DC-DC转换器。
  2. 工业电机驱动和逆变器控制。
  3. 电动车辆中的电池管理系统(BMS)和牵引逆变器。
  4. 高效负载点(POL)转换器。
  5. 太阳能微逆变器和其他可再生能源系统。
  6. 各种工业和消费类电子设备中的功率管理模块。

替代型号

BSC016N04LS G,BSD100N04LS G

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BSZ130N03LSG参数

  • 数据列表BSZ130N03LS G
  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单路
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13 毫欧 @ 20A, 10V
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C35A
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 10V
  • 在 Vds 时的输入电容(Ciss)970pF @ 15V
  • 功率 - 最大25W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSZ130N03LSGINTR BSZ130N03LSGXT SP000278810