型号：IRF4104G
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：6.5A（@TC=70°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：26A
　　导通电阻（RDS(on)）：13mΩ（@VGS=10V, ID=3.25A）
　　导通电阻（RDS(on)）：17mΩ（@VGS=4.5V, ID=3.25A）
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.3V
　　栅极电荷（Qg）：8.5nC（@VGS=10V）
　　输入电容（Ciss）：380pF（@VDS=15V）
　　功率耗散（PD）：1.4W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SO-8

IRF4104G具备多项优异的电气与物理特性，使其在现代低电压功率开关应用中表现突出。首先，其低导通电阻RDS(on)显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效，尤其在大电流条件下优势明显。在VGS=10V时，RDS(on)仅为13mΩ，而在更常见的逻辑电平驱动条件（如VGS=4.5V）下，仍可保持17mΩ的低阻值，这意味着它能够兼容3.3V或5V微控制器直接驱动，无需额外的电平转换或复杂的栅极驱动电路，简化了系统设计。其次，该器件具有较低的栅极电荷（Qg=8.5nC）和输入电容（Ciss=380pF），这直接减少了开关过程中所需的驱动能量，从而降低了开关损耗，使其非常适合高频开关电源（如同步降压转换器）等对效率要求较高的应用场景。
　　此外，IRF4104G采用先进的沟槽式MOSFET工艺，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流承载能力，同时改善了热性能。其SO-8封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，还具备良好的散热性能，尤其是在配合合理布局和敷铜设计时，能够有效将热量传导至PCB，延长器件寿命。该器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种严苛环境条件，包括工业级和汽车级应用。内置的体二极管具有快速恢复特性，能够有效应对感性负载切换时的反向电流冲击，提升系统鲁棒性。最后，IRF4104G符合RoHS指令，无铅且环保，支持回流焊工艺，适用于自动化生产流程，是高性价比、高可靠性的理想选择。

IRF4104G广泛应用于多种中低功率电子系统中，特别是在需要高效、快速开关响应的场合。典型应用包括同步整流型DC-DC降压转换器（Buck Converter），其中作为上下桥臂的开关元件，利用其低RDS(on)和低Qg特性实现高转换效率；在便携式设备如智能手机、平板电脑和移动电源中，用于电池充放电管理电路和负载开关控制，实现对不同功能模块的电源通断管理，减少待机功耗。此外，该器件也常见于电机驱动电路中，用于控制小型直流电机或步进电机的启停与方向切换，尤其适用于玩具、家电和小型机器人等产品。
　　在电源管理系统中，IRF4104G可用于过流保护、热插拔控制和多电源路径切换等场景，凭借其快速响应能力和高可靠性保障系统安全。在LED驱动电路中，作为恒流调节开关，实现亮度调光功能。由于其封装小巧且支持表面贴装，特别适合空间受限的消费类电子产品。在工业控制领域，该MOSFET可用于PLC输出模块、传感器供电开关和继电器替代方案，提升系统集成度和响应速度。此外，IRF4104G也可用于H桥电路中作为驱动元件，实现双向电机控制或逆变功能。总之，凡是需要在30V以下电压环境中进行高效功率开关控制的应用，IRF4104G都是一种性能优越且成本合理的解决方案。

SI4142DY-T1-E3
　　AO4403
　　FDS6680A
　　NVMFS4C03NL