类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：9A
　　导通电阻（RDS(on)）：20mΩ（典型值）
　　功耗（Ptot）：3.1W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：PG-TDSON-8

BSZ0920NS具有低导通电阻的特性，使其在导通状态下能够显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。该器件的栅极电荷较低，有助于在高频开关应用中减少开关损耗，从而提升系统的响应速度和稳定性。此外，BSZ0920NS具备优异的热性能，能够在较高的工作温度下保持稳定运行，延长使用寿命并提高系统可靠性。
　　这款MOSFET的封装设计紧凑，适用于空间受限的电路设计，并且具有良好的散热性能。其沟槽结构优化了电流流动路径，降低了导通压降，从而进一步提升能效。BSZ0920NS的栅极驱动电压范围较宽，兼容多种控制电路设计，便于系统集成和优化。此外，其高耐用性和抗过载能力使其在恶劣环境下依然能够保持稳定的工作状态。

BSZ0920NS广泛应用于各种电源管理领域，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制电路等。它在笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备中常用于电池管理系统，以提高能效并延长电池续航时间。此外，该器件也适用于工业自动化设备、伺服电机驱动器以及各种需要高效能功率开关的场合。由于其高频特性和低损耗设计，BSZ0920NS也常用于开关电源（SMPS）和LED照明驱动电路。

BSC090N03MS、BSC090N04MS、IPD90N03C