时间：2025/7/18 20:51:15
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2N6767 是一款常用的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率放大器、电源开关和电机控制等高功率场合。该器件采用TO-220封装，具备较高的耐压能力和较大的电流承载能力，适合于需要高效能和稳定性的电路设计。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：250V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：10A
功耗（PD）：125W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
存储温度范围：-65°C 至 150°C
导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω（最大）
输入电容（Ciss）：900pF
输出电容（Coss）：200pF
反向传输电容（Crss）：50pF
2N6767 的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压可达250V，使其适用于高压环境下的开关应用。该器件的连续漏极电流为10A，具备良好的电流承载能力，能够在高负载条件下稳定运行。
此外，2N6767 的导通电阻较低，最大为0.35Ω，这有助于减少导通损耗，提高整体效率。器件的输入电容为900pF，输出电容为200pF，反向传输电容为50pF，这些参数使其在高频应用中表现良好，能够快速响应开关信号。
该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的散热性能，能够在高功率应用中保持稳定的温度控制。器件的工作温度范围为-55°C至150°C，存储温度范围为-65°C至150°C，具备良好的环境适应性，适用于各种工业和消费类电子产品。
2N6767 还具备良好的热稳定性和抗过载能力，能够在突发负载条件下保持稳定运行，减少故障率。其栅源电压范围为±30V，提供了较宽的驱动电压选择，便于与其他控制电路兼容。
总体而言，2N6767 是一款性能优良的功率MOSFET，适合用于需要高耐压、大电流和低导通损耗的应用场景。
2N6767 主要用于电源开关、直流电机控制、功率放大器以及各种需要高功率MOSFET的电路中。它特别适合于需要高效率和稳定性的应用，如开关电源（SMPS）、逆变器、直流-直流转换器以及工业自动化控制系统。此外，该器件也可用于音频放大器中的功率输出级，提供高保真的音频信号处理能力。
IRF630, 2N6764, 2N6768
