AONR36326C 时间：2025/4/29 10:24:01 阅读：1

AONR36326C是一款由Alpha & Omega Semiconductor（AOS）生产的N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用先进的半导体工艺制造，适用于各种高效能开关应用场合。其低导通电阻和快速开关特性使其成为电源管理、负载切换以及电机驱动等应用的理想选择。
　　该器件的封装形式为TO-252 (DPAK)，能够提供出色的散热性能和可靠性。由于其较低的栅极电荷和输入电容，AONR36326C能够在高频条件下保持高效率。

参数

最大漏源电压(Vds)：40V
　　最大栅源电压(Vgs)：±8V
　　连续漏极电流(Id)：16A
　　导通电阻(Rds(on))：9.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　栅极电荷(Qg)：7nC
　　输入电容(Ciss)：1250pF
　　总电容(Coss)：120pF
　　输出电容(Crss)：80pF
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ to +175℃

特性

AONR36326C具有非常低的导通电阻Rds(on)，这可以显著降低传导损耗，提高系统效率。
　　该器件支持逻辑电平驱动，最低可在4.5V的栅极驱动电压下开启，从而简化了电路设计并减少了外围元件的需求。
　　它具备快速的开关速度，有助于减少开关损耗并在高频操作中维持高效率。
　　AONR36326C采用了坚固耐用的设计，具有较高的雪崩能力和抗静电能力(ESD)，以确保在恶劣环境下的可靠运行。
　　其紧凑的TO-252封装也使得它非常适合空间受限的应用场景。

应用

AONR36326C广泛应用于多种电力电子领域，例如DC-DC转换器、降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)、LED驱动器、电信电源以及工业控制中的电机驱动等。此外，它还可以用于消费类电子产品中的电源管理和充电解决方案。
　　由于其高效的开关特性和稳健的设计，该器件特别适合于需要高性能和高可靠性的应用场合。