类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：500V
　　最大集电极电流（IC）：6A
　　最大集电极耗散功率（PC）：50W
　　直流电流增益（hFE）：最小80（典型值范围100-320，取决于测试条件）
　　集电极-基极电压（VCBO）：500V
　　发射极-基极电压（VEBO）：7V
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　增益带宽积（fT）：约4MHz（典型值）
　　饱和电压（VCE(sat)）：≤1.5V（在IC = 3A, IB = 0.3A条件下）

2SD1733TLQ具备出色的高压阻断能力和高电流驱动性能，使其成为中等功率开关电路中的理想选择。其集电极-发射极击穿电压高达500V，能够承受瞬态过压冲击，适用于输入电压波动较大的应用场景。该晶体管的最大连续集电极电流可达6A，在良好散热条件下可维持长时间稳定工作，适合用于驱动感性负载如继电器、电磁阀和小型电机。器件的直流电流增益（hFE）表现优异，最低保证值为80，实际典型值可达100以上，这使得它在低基极驱动电流下仍能实现高效的电流放大，从而降低前级驱动电路的设计复杂度。该晶体管的饱和压降相对较低，在满载条件下VCE(sat)不超过1.5V，有效减少了导通期间的功率损耗，提升了系统的能效水平。
　　另一个显著特点是其良好的热稳定性与鲁棒性。2SD1733TLQ采用高导热性的塑料封装材料，内部芯片与外部散热片之间具有较低的热阻，有利于热量快速传导至PCB或外置散热器，防止因局部过热导致性能下降或器件损坏。该器件还具备较强的抗二次击穿能力，即使在高电压与大电流同时存在的恶劣工况下也能保持稳定运行。此外，其频率响应特性适中，fT约为4MHz，足以满足大多数中频开关应用的需求，包括半桥与全桥拓扑结构中的开关操作。综合来看，2SD1733TLQ以其高可靠性、优良的电气特性和紧凑的封装形式，在工业控制、电力电子变换等领域展现出强大的竞争力。

2SD1733TLQ广泛应用于多种电力电子系统中，尤其是在需要高电压、大电流开关能力的场合。常见用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在反激式、正激式和半桥式拓扑结构中作为主开关管使用，能够高效地完成能量传递与电压变换任务。在DC-DC转换器中，该晶体管可用于升压（Boost）、降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）电路，尤其适用于输入电压较高或输出功率较大的设计。此外，它也常被用作逆变器电路中的功率开关元件，例如在UPS不间断电源、太阳能逆变器或变频器中实现直流到交流的转换。
　　在工业控制领域，2SD1733TLQ可用于驱动各类感性负载，如接触器线圈、电磁铁、步进电机和直流电机，凭借其高耐压和强电流驱动能力，能够可靠地完成启停控制。该器件同样适用于电子镇流器电路，用于荧光灯或高强度放电灯（HID）的启动与稳态控制。由于其具备一定的高频工作能力，也可用于感应加热设备中的振荡与功率放大电路。此外，在电池充电器、焊接设备、电镀电源等大功率整流与调节装置中，2SD1733TLQ也能发挥重要作用。总之，只要涉及中等功率等级下的高压开关控制，2SD1733TLQ都是一个值得信赖的技术选项。

MJD1733, MJE1733, KSC3879, 2SC4466